2007 год — тонкопленочный фотоэлемент с тремя переходами

Компания Sharp успешно разработала технологию массового производства сборных секций из тонкопленочных фотоэлементов с тремя переходами, преобразовав структуру с двумя активными слоями (аморфный кремний + микрокристаллический кремний) в структуру с тремя переходами: аморфный кремний (два активных слоя) и микрокристаллический кремний (один активный слой). Совершенствование структуры отдельного элемента позволило повысить его КПД с 11% до 13%, а КПД модуля — с 8,6% до 10%.^*
Два активных слоя аморфного кремния существенно увеличили величины напряжения, а структура элемента с тремя активными слоями в сочетании с микрокристаллическим кремнием позволила существенно ослабить ухудшение характеристик со временем под действием светового потока (падение КПД преобразования солнечной энергии). Результатом этих инноваций стала величина КПД элемента 13% и КПД модуля 10%, что соответствует максимальным уровням в отрасли.

• *Для изделий массового производства.