2009 год — солнечный элемент с самым высоким в мире КПД 35,8%

Компания Sharp добилась самого высокого КПД^*1 преобразования солнечной энергии фотоэлементами (35,8%^*2), используя солнечные элементы с тремя переходами.
Используя запатентованную технологию формирования слоев, компания достигла успеха в формировании слоя InGaAs с высокой однородностью кристаллической структуры, что ранее вызывало огромные затруднения. В результате потери электроэнергии были сведены к минимуму и КПД преобразования солнечной энергии, равный 31,5% в составных батареях Sharp, удалось поднять до 35,8%.

• *1:По состоянию на 22 октября 2009 года для ненакопительных фотоэлементов на опытных образцах (на основании исследования компании Sharp).
• *2:Величина полученного КПД подтверждена Национальным институтом передовых научно-технических разработок (AIST; одна из организаций в мире, официально сертифицирующая измерения КПД солнечных батарей) в сентябре 2009 года. (площадь поверхности элемента: прибл. 1 см²)